四靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的一款高性價比磁控濺射鍍膜設(shè)備，具有標(biāo)準(zhǔn)化、模塊化、可定制化的特點(diǎn)。磁控靶有1英寸2英寸3英寸4英寸可以選擇，客戶可以根據(jù)所鍍基板的大小自主選購；所配電源為500W直流電源和500W射頻電源，直流電源可用于金屬薄膜的制備，射頻電源可用于非金屬膜的制備，四個靶可以滿足多層或者多次鍍膜的需要。若客戶有其他鍍膜需要，可以定制其他射頻電源和脈沖電源，各型電源均有300W到1000W多種規(guī)格可選.

設(shè)備具有主腔室和過渡艙兩部分，過渡艙配有磁力推桿，兩個艙室之間裝有真空閘板閥；用戶可以在主腔室進(jìn)行濺射工作的同時，在過渡艙裝填樣品，并進(jìn)行真空預(yù)抽，待主腔室濺射完成后即可將樣品通過磁力推桿推入主腔室的樣品臺。這樣的設(shè)計能夠減少主腔室抽放真空的次數(shù)，不僅能有效節(jié)省時間，更能保證更好的本地真空，有效提高鍍膜質(zhì)量
四靶磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。該四靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn)，是一款實(shí)驗(yàn)室制備材料薄膜的理想設(shè)備高真空環(huán)境，整個蒸發(fā)過程在高真空環(huán)境中進(jìn)行，確保了蒸發(fā)原子或分子直接到達(dá)基板，避免了空氣中雜質(zhì)的污染，提高了薄膜的質(zhì)量。高真空條件還有助于減少蒸發(fā)材料的氧化，進(jìn)一步提升了薄膜的純度和性能。
技術(shù)參數(shù):

產(chǎn)品名稱	四靶磁控濺射鍍膜儀(直流電源+射頻電源)
產(chǎn)品型號	CY-MSH500X-IIII-DCDCDCRF-SS
樣 品 臺	外形尺寸	φ150mm
	控溫精度	±1℃
	加熱范圍	室溫～900℃
	可調(diào)轉(zhuǎn)速	1-20rpm 可調(diào)
磁 控 靶 槍	濺射方向	向下濺射
	擺頭靶角度可調(diào)范圍	-45~45度，配備氣動快門
	靶材尺寸	直徑4英寸，厚度≦3mm
	絕緣電壓	>2000V
	數(shù)量	4英寸擺頭靶3個；4英寸直靶一個
	冷卻方式	水冷
真 空 腔 體	腔體類型	D型腔
	腔體尺寸	Φ500mm × 500mm
	腔體材料	304 不銹鋼
	觀察窗口	石英窗口，直徑φ100mm
	開啟方式	前門開啟
氣 體 控 制	流量控制	3路質(zhì)量流量計： 量程 0～500SCCM； 量程 0～100SCCM 量程 0～20SCCM
雙極脈沖磁控濺射電源	輸入電壓 380VAC±10%，三相四線制，50-60Hz 輸出功率 0-5KW 輸出電壓 0-1000V 輸出電流 *大9A（恒功率時） 輸出頻率 1KHz -150KHz 輸出特性 恒流/恒功率/恒壓 冷卻方式 風(fēng)冷 通訊方式 0-5V或0-10V模擬量RS-485 負(fù)載持續(xù)率 100% 數(shù)量 1臺
射 頻 電 源	電源功率	1000W
	功率輸出范圍	0W-1000W
	*大輸出功率	1000W
	*大反射功率	130W
	射頻頻率	13.56MHz+/-0.005%穩(wěn)定性
	數(shù)量	1臺
直 流 電 源	功率	1000W
	數(shù)量	2臺
分 子 泵	分子泵抽速	1200L/S
	冷卻方式	水冷
	真空度	9.0×10??Pa
	前級泵抽氣速率	4L/S
	復(fù)合真空計	量程 10??Pa ~ 10?Pa
	數(shù)量	1套
	真空閥	電控氣動閥
過渡艙	腔體尺寸要適用于*大6英寸的晶圓 配備分子泵組： 前級泵：VRD-4，抽速1.1L/s 分子泵：日本TG60F，抽速60L/s
膜厚測量儀	數(shù)量：1套 通道數(shù)：單通道 測量精度：1? 標(biāo)準(zhǔn)傳感器石英晶體：6MHz 適用石英晶體尺寸：φ14mm
水冷機(jī)	溫度控制范圍：10～25℃ 額定制冷量：0.75kW 流量：10L/min 冷卻水：純凈水
空壓機(jī)	轉(zhuǎn)速：1380 轉(zhuǎn)/分鐘 流量：40 升/分鐘 額定排氣壓力：0.7 兆帕
控制系統(tǒng)	PLC + 14.3 英寸觸摸屏